SQD50P08-28_GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SQD50P08-28_GE3 |
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Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $2.76 |
10+ | $2.479 |
100+ | $1.9927 |
500+ | $1.6372 |
1000+ | $1.3566 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-252AA |
Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 12.5A, 10V |
Verlustleistung (max) | 136W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6035 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 145 nC @ 10 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 48A (Tc) |
Grundproduktnummer | SQD50 |
SQD50P08-28_GE3 Einzelheiten PDF [English] | SQD50P08-28_GE3 PDF - EN.pdf |
VISHAY SOT252
P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
SQD50P08-28 VISHAY
IGBT Modules
IGBT Modules
MOSFET N-CH 100V 30A TO252AA
MOSFET P-CHAN 80V TO252
MOSFET N-CH 100V 30A TO252AA
IGBT Modules
IGBT Modules
IGBT Modules
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
IGBT Modules
VISHAY TO-252
VISHAY TO-252
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
MOSFET P-CH 80V 50A TO252AA
IGBT Modules
IGBT Modules
MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA
2024/06/3
2025/01/15
2024/09/20
2024/04/11
SQD50P08-28_GE3Vishay Siliconix |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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